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　　2014年5月7日 – 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)宣布推出專有ONC18 180納米(nm)工藝技術上的經過認證的新的知識產權(IP)。這些新的經過認證的電路模塊將幫助安森美半導體的晶圓代工廠(GDS2)接口客戶把需要硅片重制(re-spin)的風險降至最低，因而幫助降低新設計的開發(fā)成本及縮短上市周期。

　　安森美半導體的定制晶圓代工業(yè)務部持續(xù)提供新的IP模塊；這些IP模塊通過Micro Oscillator Inc.、Senseeker Engineering Inc.及Silicon Storage Technology, Inc.等外部供應商開發(fā)的專有工藝的認證。最近通過認證的10個新的IP模塊提供的功能涵蓋從小間距列并行模數轉換器(ADC)及低溫兼容型低壓差分信令(LVDS)驅動器到超低功率振蕩器及極小占位面積一次性可編程(OTP)存儲器等。這些IP模塊適用及有利于廣泛的客戶終端市場，包括軍事/航空、醫(yī)療、消費、計算機、通信及汽車。這些經過認證的IP除了配合這些終端市場ASIC設計人員的工作，還將幫助設計公司降低成本，及給他們的終端客戶報價時提供更準確的計劃表。

　　安森美半導體軍事/航空、數字、定制晶圓代工、集成無源器件(IPD)及圖像傳感器產品分部副總裁Vince Hopkin說：“把我們領先的半導體工藝上的混合信號IP通過認證，是我們策略的一個關鍵，以幫助多種多樣行業(yè)市場及終端應用的設計人員縮短他們新產品的上市周期及降低開發(fā)成本。使用通過認證的IP能減輕高昂的重新設計需要。有時候設計人員需要重新設計來解決開發(fā)階段未預料到的電路模塊性能問題或特性，因而可能嚴重地延遲產品的上市。”