日本東北大學與羅姆將ZnO（氧化鋅）類紫外LED的發光強度提高到了100μW，為原來產品的1萬倍。這一發光強度是InGaN與GaN類紫外LED的約1/10，“明確了追趕GaN類產品的前進道路”（東北大學原子分子材料科學高等研究機構教授川崎雅司）。制造LED元件時采用了MBE（分子束外延）法，并開發出了不使用自由基化氣體的摻雜（Doping）法。這樣，“有望采用量產性更高的MOCVD（有機金屬氣相沉積）法”（川崎）。目標用途是用于液晶顯示器的背照燈及照明燈的白色LED。這是由東北大學的川崎、東北大學金屬材料研究所、東北大學多元物質科學研究所及羅姆共同取得的研究成果。
研究小組制造的LED元件，擁有p型MgZnO與n型ZnO的層疊構造，在導電性ZnO底板上形成的。發光中心波長為380nm。用該LED元件激發綠色熒光體時，可獲得以520nm波長為中心的綠色光。盡管目前發光效率還不到1％，但“估計只要將p型MgZnO中1016cm-3左右的空穴濃度提高至1018cm-3左右，便可使發光效率提高一位數”（東北大學的川崎）。
該研究小組2004年曾采用脈沖激光沉積（PLD）法，開發出了由p型ZnO與n型ZnO的層疊構造構成的LED。這種LED元件的發光強度比此次的元件還低4位數左右，發光中心波長為440nm，屬于藍色區域。此次采用能帶隙（禁止帶寬）更大的p型MgZnO代替了p型ZnO。由此，“可防止電子從n型ZnO流入p型MgZnO，從而使載流子在n型ZnO層內重新結合而發光。這樣，便可獲得支持ZnO禁止帶寬的紫外光源”（東北大學的川崎）。
據介紹，此次采用MBE法形成LED元件時，主要通過兩方面的改進，大幅提高了LED的發光強度。第1點是提高了MgZnO層與ZnO層的界面品質，第2點是為了在MgZnO層中摻雜氮氣（N）而采用了氨氣（NH3），從而提高了對發光起到有益作用的空穴濃度。關于后者，與為了在MgZnO層中摻雜N而采用一氧化氮（NO）基的方法相比，發光強度提高了兩位數左右。據介紹，即使不采用自由基化氣體，也可生長出高品質結晶，因此今后有望采用更適于量產的MOCVD法。
研究小組表示，采用紫外LED的白色LED，與搭配使用藍色LED與黃色熒光體的InGaN及GaN類白色LED相比，有望提高演色性及色再現性。另外，該小組還稱，制造GaN類LED時很難采購到高品質的低價單晶底板，但ZnO類LED可輕松合成單晶底板。因此，有望以較低的成本量產采用單晶底板的LED元件，這種底板可使發光層與網柵輕松匹配。
此次的研究成果已刊登在美國學術雜志《Applied Physics Letters》的網絡版上。
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