1.正向電壓下降，暗光
A:一種是電極與發光資料為歐姆觸摸，但觸摸電阻大，首要由資料襯底低濃度或電極殘缺所形成的。
B:一種是電極與資料為非歐姆觸摸，首要發生在芯片電極制備進程中蒸騰第一層電極時的擠壓印或夾印，散布方位。
別的封裝進程中也能夠形成正向壓下降，首要緣由有銀膠固化不充分，
正向壓下降的芯片在固定電壓測驗時，經過芯片的電流小，然后體現暗點，還有一種暗光表象是芯片自身發光功率低，正向壓降正常。
2.難壓焊：（首要有打不粘，電極掉落，打穿電極）
A:打不粘：首要因為電極外表氧化或有膠
B:有與發光資料觸摸不牢和加厚焊線層不牢，其間以加厚層掉落為主。
C:打穿電極：通常與芯片資料有關，資料脆且強度不高的資料易打穿電極，通常GAALAS資料（如高紅，紅外芯片）較GAP資料易打穿電極，
D:壓焊調試應從焊接溫度，超聲波功率，超聲時刻，壓力，金球巨細，支架定位等進行調整。
3.發光色彩區別：
A:同一張芯片發光色彩有顯著區別首要是因為外延片資料疑問，ALGAINP四元素資料選用量子布局很薄，成長是很難確保各區域組分共同。（組分決議禁帶寬度，禁帶寬度決議波長）。
B:GAP黃綠芯片，發光波長不會有很大誤差，可是因為人眼對這個波段色彩靈敏，很簡單查出偏黃，偏綠。因為波長是外延片資料決議的，區域越小，呈現色彩誤差概念越小，故在M/T作業中有附近選取法。
C:GAP赤色芯片有的發光色彩是偏橙黃色，這是因為其發光機理為直接躍進。受雜質濃度影響，電流密度加大時，易發生雜質能級偏移和發光飽滿，發光是開端變為橙黃色。
4.閘流體效應；
A:是
B:發生閘流體表象緣由是發光資料外延片成長時呈現了反向夾層，有此表象的
5.反向漏電：
A:緣由：外延資料，芯片制造，器材封裝，測驗通常5V下反向漏電流為10UA,也能夠固定反向電流下測驗反向電壓。
B:不一樣類型的LED反向特性相差大：普綠，普黃芯片反向擊穿可到達一百多伏，而普芯片則在十幾二十伏之間。
C:外延形成的反向漏電首要由PN結內部布局缺點所形成的，芯片制造進程中旁邊面腐蝕不行或有銀膠絲沾附在測面，嚴禁用有機溶液分配銀膠。以避免銀膠經過毛細表象爬到結區。
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