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　　半導體照明網訊 東京大學生產技術研究所教授藤岡洋的研究室2014年6月23日宣布，開發出了在玻璃基板上用濺射法形成GaN基LED的技術。相關論文已發表在學術雜志《ScientificReports》上。除了與現有LED相比可大幅降低制造成本之外，新技術還有可能實現用無機LED制作有機EL那樣的大面積發光元件。

　　藤岡教授的研究室在約2英寸（直徑約5cm）的玻璃基板上轉印了石墨烯多層膜，然后在石墨烯多層膜上用脈沖濺射法分別形成了AlN、n型GaN、由GaN與InGaN的多層構造構成的量子阱、p型GaN晶體。

　　藤岡表示，很早以前就開始開發利用濺射法制作LED的技術，“還沒有發布過這些技術的詳細內容，只是在累積經驗”。

　　另外，藤岡研究室還在2008年開發出了在石墨片材上用“脈沖激勵沉積法（PXD）”形成GaN晶體的技術。

　　此次在可稱得上是最薄石墨片材的石墨烯片材上用濺射法形成了GaN晶體，并確認可實際發光。據介紹，分別制作了以紅色（R）、綠色（G）、藍色（B）三原色發光的LED。

　　目前還無法檢測白色發光的發光效率，以及單色狀態下的外部量子效率，正在對極低溫條件下的內部量子效率進行評估。藤岡教授表示，“與藍寶石基板上制作的LED相比，內部量子效率要低好幾成”。今后的課題是如何將內部量子效率提高至與現有LED相當的水平。