在顯示器技術國際學會“16th International Display Workshops（IDW '09）”的氧化物TFT分會上，夏普就首次試制的氧化物TFT液晶面板進行了技術發表（論文序號AMD7-4）。日本的大型廠商追趕面板試制開發處于領先地位的韓國廠商，這對日本未來的發展是一件值得欣喜的事情。在開發者見面會（Authors interview）上演示的2.6英寸QVGA（320×240像素）面板的完成度也很高，由此可以看出夏普為開發該產品進行了全力投入。
TFT結構為傳統的反向通道蝕刻（Back Channel Etch）型。氧化物半導體采用IGZO（In-Ga-Zn-O）。
特性偏差方面，通過對320mm×400mm底板上的21個點進行測量，遷移率μ＝13.4±0.9cm2/Vs（σ＝0.5），閾值電壓Vth＝3.0±0.4V（σ＝0.2）。對于人們關心的可靠性，夏普稱基于DC偏壓應力的Vth偏移在25℃下為非晶硅（a-Si）TFT的1/4左右程度，在85℃下是其1/10左右。基于脈沖偏壓的Vth偏移在60℃下為a-Si TFT的70％左右。該公司稱，作為液晶面板工作時，在60℃條件下，其TFT特性1000小時內不會發生變化。
另外，雖然論文集（Proceedings）中沒有紀錄，但夏普還介紹說，利用該IGZO TFT試制出了與前一天發布的微晶硅TFT液晶面板（參閱本站報道）相同的微晶硅TFT12.1英寸WXGA面板，并進行了現場演示。遺憾的是該公司并沒有在開發者見面會上進行演示，面板的參數如下。
面板尺寸：對角12.1英寸
像素：WXGA（1280×RGB×800）
掃描驅動電路：內置
1：3 DeMUX電路：內置
驅動IC總數：2個
從面板的特性及可靠性方面來看，雖然內置掃描驅動電路及多路分配器（DeMUX：De-multiplexer）電路的難度較高，但不久的將來也有可能實現。此次的技術發布中提到了論文中沒有提及的面板，這說明開發速度非常快，今后還有望開發出新面板。
盡管氧化物TFT分會是在學會最后一天的下午舉辦的，但與會者非常多，氣氛十分熱烈。在開發者見面會上，與會者積極進行討論，足以感受人們對該領域的期待程度。（日經BP社）
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