近日有消息稱(chēng)，ASML將于未來(lái)幾個(gè)月內(nèi)推出2nm制程節(jié)點(diǎn)制造設(shè)備，并計(jì)劃在2024年生產(chǎn)10臺(tái)2nm設(shè)備，英特爾已采購(gòu)其中6臺(tái)。新一代的高數(shù)值孔徑 (High-NA) EUV光刻機(jī)可以將聚光能力從0.33提高至0.55，能夠獲得更精細(xì)的曝光圖案，用于2nm制程節(jié)點(diǎn)。未來(lái)幾年，ASML希望將這種最新設(shè)備的產(chǎn)能提高至每年20臺(tái)。
此前，英特爾表示已開(kāi)始在其位于愛(ài)爾蘭價(jià)值185億美元的工廠采用EUV光刻機(jī)進(jìn)行大量生產(chǎn)。愛(ài)爾蘭廠是英特爾首次嘗試使用EUV 技術(shù)進(jìn)行大量制造。英特爾希望憑借其制造技術(shù)重新奪回領(lǐng)先地位。
自2017年ASML的第一臺(tái)量產(chǎn)的EUV光刻機(jī)正式推出以來(lái)，三星的7nm、5nm、3nm工藝，臺(tái)積電的第二代7nm、5nm、3nm工藝的量產(chǎn)都是依賴(lài)于0.33 數(shù)值孔徑的EUV光刻機(jī)來(lái)進(jìn)行生產(chǎn)。目前，隨著三星、臺(tái)積電、英特爾3nm制程的相繼量產(chǎn)，目前這三大先進(jìn)制程制造廠商都在積極投資2nm制程的研發(fā)，以滿(mǎn)足未來(lái)高性能計(jì)算等先進(jìn)芯片需求，并在晶圓代工市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)當(dāng)中取得優(yōu)勢(shì)。而2nm工藝的實(shí)現(xiàn)則可能需要依賴(lài)于ASMLHigh-NA EUV光刻機(jī)。
目前ASML正在開(kāi)發(fā)的0.55 NA的High-NA EUV光刻機(jī)，分辨率為 8nm，能夠幫助芯片制造商生產(chǎn)2nm及以下更先進(jìn)制程的芯片，并且圖形曝光的成本更低、生產(chǎn)效率更高。據(jù)研究機(jī)構(gòu)KeyBanc此前表示，一臺(tái)0.55 NA EUV光刻系統(tǒng)的成本預(yù)計(jì)為3.186億美元，而正在出貨的0.33 NA EUV光刻系統(tǒng)則為1.534億美元。
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