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隨著全球新能源汽車、人工智能、光伏及儲能等新興市場的蓬勃發展，高性能功率器件的需求呈現出前所未有的增長態勢。在這一背景下，2025年1月8日于珠海金灣工廠，京東方華燦與晶通半導體簽署了合作備忘錄，共同致力于寬禁帶半導體之氮化鎵（GaN）功率器件的研發與量產，以創新驅動行業發展，滿足市場日益增長需求。

京東方華燦與晶通半導體合作備忘錄簽署儀式

作為半導體行業的佼佼者，京東方華燦與晶通半導體均擁有深厚的行業積淀和技術實力。此次合作，雙方將充分發揮各自在技術研發、生產制造及市場拓展等方面的優勢，共同推動GaN功率器件技術的革新與應用。

京東方華燦專注于氮化物半導體領域，其氮化物專利布局位居全球前列，具備優異的運營管理能力，一直致力于為客戶提供高質量的半導體產品和服務。晶通半導體在GaN技術領域深耕多年，擁有GaN HEMT、GaN SBD、Smart-GaN®、Smart-Driver® IC的設計能力，以及基于AI機器學習的動態測試技術平臺。通過此次合作，雙方將整合各自資源，共同打造高性能、高可靠性的GaN功率器件，以滿足消費類、AI數據中心、車用、光伏及儲能等新興市場的多元化需求。

晶通總裁劉丹、首席科學家馬俊博士等參觀京東方華燦金灣工廠

京東方華燦與晶通半導體將攜手推進GaN技術持續創新，不斷提升器件性能與可靠性，共同探索新的器件設計、工藝技術和材料應用，以降低成本、提高生產效率；在生產制造方面，晶通半導體將依托京東方華燦先進的生產設備和工藝，提升產品品質和競爭力。雙方始終以終端客戶需求為導向，加強在生產管理、質量控制等方面的合作，確保GaN功率器件的穩定供應，推動GaN功率器件成本持續降低，加速GaN功率器件大規模商業化應用。

展望未來，京東方華燦與晶通半導體將繼續秉持創新引領、質量為本的發展理念，共同推動GaN功率器件技術革新與進步。雙方將深化合作，加強交流，共同打造行業新生態，為全球客戶提供更加優質的GaN功率器件產品和服務。