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　　致力于通過(guò)新一代“TaRF6”工藝改善智能手機(jī)的性能

　　東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)宣布，該公司已面向支持LTE-Advanced技術(shù)的智能手機(jī)開(kāi)發(fā)出SP12T[1]射頻(RF)天線開(kāi)關(guān)集成電路(IC)，實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低水平的插入損耗[2,4]和射頻失真[3,4]。樣品出貨即日啟動(dòng)。

　　隨著移動(dòng)通信技術(shù)的普及，射頻頻帶和數(shù)據(jù)傳輸速率的量也正顯著增加。對(duì)移動(dòng)設(shè)備射頻電路中所使用的天線開(kāi)關(guān)IC的要求正逐漸朝著多端口，以及改善射頻性能的方向發(fā)展。此外，為了滿足新興市場(chǎng)高數(shù)據(jù)傳輸速率移動(dòng)通信設(shè)備急劇增長(zhǎng)的要求，以具有成本效益的方式來(lái)改善這些射頻性能實(shí)屬必要。

　　為了響應(yīng)這些要求，東芝現(xiàn)已開(kāi)發(fā)出新一代采用絕緣體上硅(SOI)技術(shù)[6]的TarfSOITM（東芝高級(jí)射頻SOI技術(shù)）[5]工藝“TaRF6”。TarfSOITM實(shí)現(xiàn)了將模擬、數(shù)字和射頻電路集成于單一芯片的目標(biāo)。相比其它的傳統(tǒng)解決方案，例如砷化鎵(GaAs)，該工藝提供了一種高性?xún)r(jià)比解決方案，支持高度復(fù)雜的切換功能和射頻性能。

　　借助“TaRF6”新工藝，為射頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用定制的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)已被開(kāi)發(fā)并應(yīng)用于新型SP12T射頻天線開(kāi)關(guān)IC中，從而帶來(lái)0.42dB插入損耗(f=2.7GHz)以及-90dBm二次諧波失真[7]的性能。與之前的“TaRF5”工藝相比，插入損耗(f=2.7GHz)降低了0.26dB，二次諧波失真降低18dB。較低的插入損耗可降低智能手機(jī)的功耗，而較低的諧波失真則有利于開(kāi)發(fā)需要低失真的載波聚合[8]智能手機(jī)。

　　東芝將于今年年底擴(kuò)大采用具有低插入損耗和低失真的“TaRF6”工藝的產(chǎn)品陣容，以滿足全球正在部署的長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE)技術(shù)所需的多端口和復(fù)雜功能的要求，而LTE-Advanced[9]技術(shù)有望緊隨其后。此外，東芝正考慮提供采用TarfSOITM技術(shù)的SOI晶圓代工服務(wù)。

　　注釋

　　[1]單刀12擲開(kāi)關(guān)

　　[2]當(dāng)電流在射頻電路中從一端流向另一端時(shí)所產(chǎn)生的電功率損耗，以分貝表示。

　　[3] 當(dāng)電流在射頻電路中從一端流向另一端時(shí)，輸出信號(hào)中出現(xiàn)的多余頻率分量。

　　[4] 截至2014年9月10日的射頻天線開(kāi)關(guān)市場(chǎng)。東芝調(diào)查。

　　[5] TarfSOITM是東芝公司的商標(biāo)。

　　[6]該技術(shù)在MOSFET的通道下形成一層絕緣膜，并降低雜散電容，以改善CMOS LSI的速度和功率節(jié)省量。

　　[7]具有2倍頻率的失真分量。

　　[8]一種同時(shí)使用多個(gè)頻率載波來(lái)增加傳輸數(shù)據(jù)速率的技術(shù)。為了避免與接收器頻段重疊的諧波分量的接收性能出現(xiàn)下降，該應(yīng)用需要更低的諧波性能。

　　[9]一種由3GPP標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)發(fā)組織制定的新通信標(biāo)準(zhǔn)。由國(guó)際電信聯(lián)盟(ITU)定義的第4代移動(dòng)通信系統(tǒng)中的一種。