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前段Array制程主要是“薄膜、黃光、蝕刻、剝膜”四大部分。

首先，需要在TFT玻璃上沉積ITO薄膜層，這樣整塊TFT玻璃上就有了一層平滑均勻的ITO薄膜。然后用離子水，將ITO玻璃洗凈。

接下來，要在沉積了ITO薄膜的玻璃上涂上光刻膠，在ITO玻璃上形成一層均勻的光阻層。然后烘烤一段時間，將光刻膠的溶劑部分揮發，增加光阻材料與ITO玻璃的粘合度。

用紫外光（UV）通過預先制作好的電極圖形掩模版照射光刻膠表面，使被照光刻膠層發生反應，在涂有光刻膠的玻璃上覆蓋光刻掩模版在紫外燈下對光刻膠進行選擇性曝光。

以一個像素單位為例，如上圖，這個像素中，淺色部分未曝光，而深色的是曝光部分。

接著，用顯影劑將曝光部分的光刻膠清洗掉，這樣就只剩下未曝光的光刻膠部分，然后用離子水將溶解的光刻膠沖走。

顯影之后需要加熱烘烤，讓未曝光的光刻膠更加堅固的依附在ITO玻璃上

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然后用適當的酸刻液將無光刻膠覆蓋的ITO膜的蝕刻掉，只保留光刻膠下方的ITO膜。ITO玻璃為（In2O3 與SnO2）的導電玻璃，未被光刻膠覆蓋的ITO膜易與酸發生反應，而被光刻膠覆蓋的ITO膜可以保留下來，得到相應的拉線電極。

剝膜：用高濃度的堿液（NaOH 溶液）作脫膜液，將玻璃上余下的光刻膠剝離掉，從而使ITO玻璃形成與光刻掩模版完全一致的ITO圖形。

用有機溶液沖洗玻璃基本標簽，將反應后的光刻膠帶走，讓玻璃保持潔凈狀態。這樣就完成了第一道薄膜導電晶體制程，一般至少需要5道相同的過程，在玻璃上形成復雜精密的電極圖形。

用相同的方法在玻璃上拉出其他的ITO電極圖形

形成復雜精密的電極圖形，可以更好的控制液像素點

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到這里，前段Array制程就完成了。從整個過程不難看出，前面在TFT玻璃上沉積ITO薄膜、涂光刻膠、曝光、顯影、蝕刻，最終是為了在TFT玻璃上形成前期設計好的ITO電極圖形，整個生產過程的大致步驟并不復雜，但是所需要的設備卻不少。

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