硅基GaN LED及光萃取技術實現高性價比照明
摘要：傳統的氮化鎵（GaN） LED元件通常以藍寶石或碳化硅（SiC）為襯底，因為這兩種材料與GaN的晶格匹配度較好，襯底常用尺寸為2"或4"。業界一直在致力于用供應更為豐富的硅晶圓（6"或更大）來發展GaN，因為硅襯底可顯著降低成本，而且可以在自動化IC生產線上制造
閱讀：14462014年06月25日 14:52:59
摘要：傳統的氮化鎵（GaN） LED元件通常以藍寶石或碳化硅（SiC）為襯底，因為這兩種材料與GaN的晶格匹配度較好，襯底常用尺寸為2"或4"。業界一直在致力于用供應更為豐富的硅晶圓（6"或更大）來發展GaN，因為硅襯底可顯著降低成本，而且可以在自動化IC生產線上制造
閱讀：14462014年06月25日 14:52:59摘要：目前在 LED制程中，藍寶石基板雖然受到來自Si與GaN基板的挑戰，但是考慮到成本與良率，藍寶石在近兩年內仍然具有優勢，可以預見接下來藍寶石基板的發展方向是大尺寸與圖案化（PSS）。由于藍寶石硬度僅次于鉆石，因此對它進行減薄與表面平坦化加工非常困難，
閱讀：13012014年06月25日 14:52:59摘要：技術發展和工藝改進，使 LED成本大幅度下降，推動了LED應用的全面發展。為進一步提升LED節能效果，全球相關單位均投入極大的研發力量，對LED性能、可靠性進行深入的研究開發，特別在LED襯底、外延、芯片的核心技術研究方面，已取得突破性成果。對LED發展提出
閱讀：14832014年06月25日 14:52:59摘要：上游芯片技術一直是國內 LED的瓶頸，核心技術大部分都掌握在國外，下面介紹一下芯片制程的工藝： 1. LED芯片檢驗 鏡檢：材料表面是否有機械損傷及麻點麻坑lockhill芯片尺寸及電極大小是否符合工藝要求電極圖案是否完整 2.LED擴片 由于LED芯片在劃片后依然排
閱讀：12692014年06月25日 14:53:00摘要：LED 具有體積小，耗電量低、長壽命環保等優點，在實際生產研發過程中，需要通過壽命試驗對 LED芯片 的可靠性水平進行*價，并通過質量反饋來提高LED芯片的可靠性水平，以保證LED芯片質量。 1、引言 作為電子元器件， 發光二極管 (LightEmittingDiode-led)已出
閱讀：13192014年06月25日 14:53:00摘要：日前，在廣州舉行的2013年 LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵 大功率LED的研發及產業化”的報告，與同行一道分享了硅襯底大功率LED研發及產業化和大尺寸硅襯底LED技術的最新進展
閱讀：16022014年06月25日 14:53:00摘要：1.正向電壓下降，暗光 A:一種是電極與發光資料為歐姆觸摸，但觸摸電阻大，首要由資料襯底低濃度或電極殘缺所形成的。 B:一種是電極與資料為非歐姆觸摸，首要發生在芯片電極制備進程中蒸騰第一層電極時的擠壓印或夾印，散布方位。 別的封裝進程中也能夠形成正
閱讀：17252014年06月25日 14:53:00摘要：1. LED芯片檢驗 鏡檢：材料表面是否有機械損傷及麻點麻坑lockhill芯片尺寸及電極大小是否符合工藝要求電極圖案是否完整 2. LED擴片 由于LED芯片在劃片后依然排列緊密間距很小(約0.1mm)，不利于后工序的操作。采用擴片機對黏結芯片的膜進行擴張，使LED芯片的
閱讀：16032014年06月25日 14:53:01摘要：LED 板上芯片(Chip On Board,COB)封裝流程 首先是正在基底表面用導熱環氧樹脂(一般用摻銀顆粒的環氧樹脂)覆蓋硅片安放點， 然后將硅片 間接安放正在基底表面， 熱處理至硅片牢固地固定正在基底為行， 隨后再用絲焊的方法正在硅片和基底之間間接建立電氣連接
閱讀：20352014年06月25日 14:53:01
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